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力特 - LITTELFUSE | 栅 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
7页 | 205K | |
描述 | ||
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围(从-40 °C到175 °C),这些产品非常适合汽车应用以及其他处 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFK16N90Q | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs Q-Class | |
IXFK170N10 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFET | |
IXFK170N10 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: | |
IXFK170N10P | IXYS |
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Polar HiperFET Power MOSFET | |
IXFK170N10P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFK170N20P | IXYS |
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Polar Power MOSFET HiperFET | |
IXFK170N20P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFK170N20T | IXYS |
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GigaMOS Power MOSFET | |
IXFK170N20T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低 | |
IXFK170N25X3 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |