5秒后页面跳转

Datasheet > IXFK14N100Q

IXFK14N100Q PDF预览

IXFK14N100Q

更新时间： 2023-08-15 00:00:00

品牌	Logo	应用领域
IXYS		/
页数	文件大小	规格书
2页	145K
描述
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 1000V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, PLASTIC PACKAGE-3

阅读下载

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFK14N100Q 数据手册

浏览型号IXFK14N100Q的Datasheet PDF文件第2页

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

Q-Class

IXFH 14N100Q

IXFK 14N100Q

IXFT 14N100Q

V_DSS

I_D25

= 1000 V

14 A

=

R_DS(on)= 0.75 Ω

t ≤ 250 ns

N-ChannelEnhancementMode

rr

AvalancheRated, LowQ_g,Highdv/dt

Preliminarydatasheet

TO-247 AD (IXFH)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

1000

1000

V

V

(TAB)

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

V

V

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

14

56

14

A

A

A

TO-268 (D3) ( IXFT)

G

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

T_C= 25°C

45

1.5

mJ

J

S

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

,

5

V/ns

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

TO-264 AA (IXFK)

P_D

T_C= 25°C

360

W

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

°C

°C

G

D

S

D (TAB)

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

Mounting torque

300

°C

G = Gate

S = Source

M_d

TO-247

TO-264

1.13/10 Nm/lb.in.

0.9/6 Nm/lb.in.

TAB = Drain

Weight

Symbol

TO-247

TO-268

TO-264

6

4

10

g

g

g

Features

l

IXYS advanced low Q_gprocess

International standard packages

Epoxy meet UL 94 V-0, flammability

classification

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

l

l

min. typ. max.

l

l

l

Low R_{DS (on)}low Q_g

Avalanche energy and current rated

Fast intrinsic rectifier

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

1000

3.0

V

V

V_GS(th)

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

5.0

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±200 nA

50 µA

Advantages

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

2

mA

l

Easy to mount

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

0.75

Ω

l

Space savings

l

High power density

© 2001 IXYS All rights reserved

98858 (9/01)

12

下载PDF

与IXFK14N100Q相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IXFK150N15	IXYS	HiPerFET Power MOSFETs	获取价格
IXFK150N15P	IXYS	PolarHT⑩ HiPerFET Power MOSFET	获取价格
IXFK150N30P3	LITTELFUSE	Power Field-Effect Transistor,	获取价格
IXFK150N30P3	IXYS	Power Field-Effect Transistor,	获取价格
IXFK150N30X3	IXYS	Power Field-Effect Transistor,	获取价格
IXFK150N30X3	LITTELFUSE	Power Field-Effect Transistor,	获取价格

与IXFK14N100Q相关文章

您还可以找

热门产品

PCB打样/小批量

BOM智能配单

精选活动

PCBA打样特惠

四六层板品质升级

铝基板品质升级

一体化电子制造

服务支持

关于捷配

帮助中心

全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号

微信公众号

捷配网-微信公众号

抖音公众号

资质认证：

合作快递：

支付方式：

Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司

浙公网安备 33010502006866号浙ICP备10014259号-119 营业执照 ICP证