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IXFK150N15P

更新时间： 2024-11-18 04:22:47

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5页	110K
描述
PolarHT⑩ HiPerFET Power MOSFET

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IXFK150N15P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-264AA
包装说明：	TO-264, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.82	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	2500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	150 V
最大漏极电流 (ID)：	150 A	最大漏源导通电阻：	0.013 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-264AA
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	340 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

IXFK150N15P 数据手册

Advance Technical Information

PolarHT^TM

IXFH 150N15P

V_DSS= 150 V

IXFK 150N15P

HiPerFET

I_D25= 150 A

Power MOSFET

R_DS(on)≤ 13 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

TO-247(IXFH)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 175°C

150

T_J= 25°C to 175°C; R_GS= 1 MΩ

(TAB)

V_GS

Continuous

Transient

V_GSM

TO-264(SP) (IXTK)

I_D25

T_C= 25°C

150

I_D(RMS)

I_DM

External lead current limit

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

340

I_AR

T_C= 25°C

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

D (TAB)

2.5

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 175°C, R_G= 4 Ω

V/ns

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

P_D

T_C= 25°C

714

T_J

-55 ... +175

175

°C

T_JM

T_stg

Features

-55 ... +175

^zInternational standard packages

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Mounting torque

300

°C

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-3P

TO-264

5.5

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

Advantages

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

Easy to mount

Space savings

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

150

3.0

5.0

High power density

100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

500

µA

T_J= 175°C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

13 mΩ

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99328(02/05)

12 3 4 5

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IXFK150N15P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTK150N15P	IXYS	类似代替	PolarHTTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXFK150N15	IXYS	类似代替	HiPerFET Power MOSFETs
IXTQ150N15P	IXYS	功能相似	PolarHTTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode

与IXFK150N15P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFK150N30P3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFK150N30P3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFK150N30X3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFK150N30X3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFK15N100Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFK160N30T	IXYS	获取价格	GigaMOS Power MOSFET
IXFK160N30T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFK16N90Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFK170N10	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFET
IXFK170N10	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:

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