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IXFK150N15P

更新时间: 2024-02-24 00:19:26
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5页 110K
描述
PolarHT⑩ HiPerFET Power MOSFET

IXFK150N15P 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:TO-264AA
包装说明:TO-264, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.82其他特性:AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas):2500 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:150 V
最大漏极电流 (ID):150 A最大漏源导通电阻:0.013 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-264AA
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e1
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):340 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON

IXFK150N15P 数据手册

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IXFH 150N15P  
IXFK 150N15P  
Fig . 1 3 . M a xim u m T r a n s ie n t T h e r m a l Re s is ta n c e  
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Pu ls e W id th - millis e c o nd s  
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