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IXFK170N10

更新时间： 2024-02-09 14:28:02

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HiPerFET Power MOSFET

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IXFK170N10 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.74	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	2000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	170 A	最大漏极电流 (ID)：	170 A
最大漏源导通电阻：	0.009 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-264AA	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	715 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	350 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFK170N10 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS

I_D25

R_DS(on)

t_rr

IXFN170N10

IXFK170N10

100V 170A 10mW

200ns

Single MOSFET Die

TO-264 AA (IXFK)

Preliminary data

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

IXFK

IXFN

170N10

D (TAB)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

100

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

±20

±30

V_GSM

I_D25

miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)

E153432

T_C= 25°C

T_C= 125°C

T_C= 25°C

170

680

170

680

170

I_D125

I_DM

I_AR

E_AR

T_C= 25°C

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

P_D

T_C= 25°C

560

600 W

°C

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150°C

150

-55 ... +150°C

Either Source terminal at miniBLOC can be used

as Main or Kelvin Source

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

300

N/A

°C

Features

· Internationalstandardpackages

· Encapsulating epoxy meets

UL94V-0,flammabilityclassification

· miniBLOC withAluminiumnitride

isolation

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

I_ISOL£ 1 mA

t = 1 min

t = 1 s

N/A

2500

3000

M_d

Mountingtorque

Terminalconnectiontorque

0.9/6

N/A

1.5/13 Nm/lb.in.

· Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

· Rugged polysilicon gate cell structure

· Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Weight

· Low package inductance

· Fast intrinsic Rectifier

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min.

100

Typ.

0.077

-0.183

Max.

Applications

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 3mA

· DC-DC converters

· Synchronousrectification

· Battery chargers

· Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

V_DSStemperature coefficient

%/K

V_GS(th)

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS(th)temperature coefficient

%/K

· DC choppers

· Temperatureandlightingcontrols

· Low voltage relays

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20V, V_GS= 0V

±200

V_DS= 0.8 • V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

400

Advantages

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

Pulse test, t £ 300 ms,

duty cycle d £ 2 %

· Easy to mount

· Space savings

· High power density

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

97505D(7/00)

1 - 4

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