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IXFK170N10

更新时间： 2024-01-22 23:13:52

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描述
HiPerFET Power MOSFET

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IXFK170N10 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.74	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	2000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	170 A	最大漏极电流 (ID)：	170 A
最大漏源导通电阻：	0.009 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-264AA	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	715 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	350 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFK170N10 数据手册

IXFK170N10

IXFN170N10

Figure 7. Gate Charge

Figure 8. Capacitance Curves

18000

15000

12000

9000

6000

3000

Vds= 50V

I_D= 85A

I_G=10mA

f = 1MHz

Ciss

Coss

Crss

100

200

300

400

500

600

V_DS- Volts

Gate Charge - nC

Figure 9. Forward Voltage Drop of the Intrinsic Diode

Figure10. Forward Bias Safe Operating Area

300

250

200

150

100

170

1 00

1 ms

T_J= 125^OC

1 0

100

T_C= 25^OC

T_J= 25^O

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1 0

1 00

V_SD- Volts

V_DS- Volts

Figure 11. Transient Thermal Resistance

0.40

0.35

0.30

0.25

0.20

0.15

0.10

0.05

0.00

10^-3

10^-2

10^-1

Pulse Width - Seconds

10⁰

10¹

4 - 4

1 2 34

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