IXFK15N100Q

更新时间： 2024-11-17 21:53:43

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
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描述
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

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IXFK15N100Q 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-264
包装说明：	TO-264, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1000 V
最大漏极电流 (ID)：	15 A	最大漏源导通电阻：	0.725 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-264
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	60 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFK15N100Q 数据手册

HiPerFET^TM

PowerMOSFETs

Q-Class

IXFH 15N100Q

IXFK 15N100Q

IXFT 15N100Q

V_DSS

I_D25

= 1000 V

15 A

R_DS(on)

0.7 Ω

t_rr≤ 250 ns

N-ChannelEnhancementMode

AvalancheRated, LowQ_g,Highdv/dt

TO-247 AD (IXFH)

Preliminary data sheet

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

(TAB)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

1000

TO-268 (D3) ( IXFT)

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

1.5

TO-264 AA (IXFK)

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

P_D

T_C= 25°C

360

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

D (TAB)

G = Gate

S = Source

TAB = Drain

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

Mounting torque

300

°C

M_d

TO-247 1.13/10 Nm/lb.in.

TO-264

0.9/6 Nm/lb.in.

Weight

Symbol

TO-247

TO-268

TO-264

Features

^zIXYS advanced low Q_gprocess

^zInternational standard packages

Epoxy meet UL 94 V-0, flammability

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

classification

^zLow R_{DS (on)}low Q_g

min. typ. max.

^zAvalanche energy and current rated

^zFast intrinsic rectifier

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

1000

3.0

V_GS(th)

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

5.0

Advantages

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±200 nA

50 µA

Easy to mount

Space savings

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

0.7

Ω

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

98627A (9/01)

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IXFK15N100Q 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
APT12080LVFRG	MICROSEMI	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 1200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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