IXFK120N25

更新时间： 2024-11-04 23:16:03

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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HiPerFET Power MOSFETs

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IXFK120N25 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.82	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	3000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	120 A	最大漏极电流 (ID)：	120 A
最大漏源导通电阻：	0.022 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-264AA	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	560 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	480 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFK120N25 数据手册

Advance Technical Information

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

IXFX 120N25

IXFK 120N25

V_DSS= 250 V

I_D25= 120 A

R_DS(on)= 22 mΩ

Single MOSFET Die

t ≤ 250 ns

PLUS247^TM(IXFX)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

250

(TAB)

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

I_D25

I_D104

I_DM

T_C= 25°C (MOSFET chip capability)

T_C= 104°C (External lead capability)

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

120

480

TO-264AA(IXFK)

I_AR

(TAB)

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

P_D

T_J

T_C= 25°C

560

-55 ... +150

°C

Features

International standard packages

Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

T_JM

T_stg

150

-55 ... +150

°C

Rugged polysilicon gate cell structure

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

T_L

1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s

300

°C

M_d

Mountingtorque

TO-264

0.7/6 Nm/lb.in.

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Fast intrinsic rectifier

Weight

PLUS 247

TO-264

Applications

DC-DC converters

Battery chargers

Symbol

V_DSS

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Switched-mode and resonant-mode

power supplies

min. typ. max.

DC choppers

V_GS= 0 V, I_D= 1mA

250

2.0

AC motor control

Temperature and lighting controls

V_GS(th)

I_GSS

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

4.0 V

V_GS= ±20 V, V_DS= 0

±200 nA

Advantages

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J

25°C

50 µA

3 mA

PLUS 247^TMpackage for clip or spring

mounting

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Note 1

22 mΩ

Space savings

High power density

98912 (2/02)

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IXFK120N25 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFK120N25P	IXYS	类似代替	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXTK120N25P	IXYS	类似代替	PolarHT Power MOSFET
IXTH110N25T	IXYS	功能相似	TrenchTM Power MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

与IXFK120N25相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFK120N25P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFK120N25P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFK120N30T	IXYS	获取价格	GigaMOS Power MOSFET
IXFK120N30T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFK120N65X2	LITTELFUSE	获取价格	这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的
IXFK140N20P	IXYS	获取价格	PolarHT HiPerFET Power MOSFET
IXFK140N20P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFK140N25T	IXYS	获取价格	GigaMOS Power MOSFET
IXFK140N25T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
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