IXFK120N25P

更新时间： 2024-11-18 11:14:03

品牌	Logo	应用领域
IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
5页	145K
描述
Polar Power MOSFET HiPerFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFK120N25P 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-264AA	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.72
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	2500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	120 A	最大漏极电流 (ID)：	120 A
最大漏源导通电阻：	0.024 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-264AA	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	700 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	300 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFK120N25P 数据手册

Polar^TMPower MOSFET

HiPerFET^TM

V_DSS= 250V

I_D25= 120A

R_DS(on)≤ 24mΩ

IXFK120N25P

IXFX120N25P

t_rr

≤ 200ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrisic Diode

TO-264 (IXFK)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

250

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

(TAB)

I_D25

I_LRMS

I_DM

T_C= 25°C

Lead Current Limit, RMS

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

120

PLUS247 (IXFX)

300

I_A

E_AS

T_C= 25°C

2.5

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

(TAB)

700

G = Gate

= Drain

S = Source

TAB = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

Features

^zInternational Standard Packages

^zFast Intrinsic Diode

M_d

Mounting Force

Mounting Torque

(PLUS247)

(TO-264)

20..120/4.5..27

N/lb.

Nm/lb.in.

1.13/10

^zAvalanche Rated

Weight

PLUS247

TO-264

^zLow Package Inductance

Advantages

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

250

2.5

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

Applications

5.0

^zSwitched-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

^zDC-DC Converters

±200 nA

I_DSS

25 μA

^zLaser Drivers

^zAC and DC Motor Drives

^zRobotics and Servo Controls

T_J= 125°C

250 μA

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

24 mΩ

DS99379F(5/09)

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

IXFK120N25P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTK120N25P	IXYS	类似代替	PolarHT Power MOSFET
IXFK120N25	IXYS	类似代替	HiPerFET Power MOSFETs
IXTH110N25T	IXYS	功能相似	TrenchTM Power MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

与IXFK120N25P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFK120N30T	IXYS	获取价格	GigaMOS Power MOSFET
IXFK120N30T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFK120N65X2	LITTELFUSE	获取价格	这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的
IXFK140N20P	IXYS	获取价格	PolarHT HiPerFET Power MOSFET
IXFK140N20P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFK140N25T	IXYS	获取价格	GigaMOS Power MOSFET
IXFK140N25T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFK140N30P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFK140N30P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFK14N100Q	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 1000V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

与IXFK120N25P相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

37

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFK120N25P

IXFK120N25P 技术参数

IXFK120N25P 数据手册

IXFK120N25P 替代型号

与IXFK120N25P相关器件

与IXFK120N25P相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFK120N25P

IXFK120N25P 技术参数

IXFK120N25P 数据手册

IXFK120N25P 替代型号

与IXFK120N25P相关器件

与IXFK120N25P相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？