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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFHN100 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFHT24N50 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFI7N80P | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 800V, 1.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IXFI7N80P | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 800V, 1.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IXFJ13N50 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFJ20N85X | LITTELFUSE |
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采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通 |
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| IXFJ26N50P3 | LITTELFUSE |
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PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的 |
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| IXFJ32N50Q | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFJ36N30 | IXYS |
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HiPerFET |
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| IXFJ40N30 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
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