是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | TO-247 |
包装说明: | TO-247, 3 PIN | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.7 | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 80 V |
最大漏极电流 (ID): | 80 A | 最大漏源导通电阻: | 0.009 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-247 |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFH80N085 | IXYS |
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HiPerFETTM Power MOSFETs | |
IXFH80N10 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs | |
IXFH80N10Q | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs Q-Class | |
IXFH80N10Q | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: | |
IXFH80N15Q | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs Q-Class | |
IXFH80N20Q | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs Q-Class | |
IXFH80N20Q | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: | |
IXFH80N25X3 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFH80N25X3 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFH80N60X2A | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |