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IXFH70N15

更新时间： 2024-02-25 07:45:05

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描述
HiPerFETTM Power MOSFETs

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IXFH70N15 数据手册

Advanced Technical Information

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

IXFH 70N15

IXFT 70N15

V_DSS

I_D25

= 150 V

= 70 A

R_DS(on)= 28 mW

t_rr£ 250ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, High dv/dt, Low t_rr

TO-247 AD (IXFH)

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

150

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

(TAB)

I_D25

T_C= 25°C

I_DM

I_AR

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

280

TO-268 (IXFT) Case Style

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

1.0

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

(TAB)

P_D

T_C= 25°C

300

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Mountingtorque

300

°C

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

Features

Weight

TO-247AD

TO-268

• Internationalstandardpackages

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

• Rugged polysilicon gate cell structure

• Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

• Low package inductance

- easy to drive and to protect

• Fast intrinsic Rectifier

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 mA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

V_DS= V_DSS

150

2.0

4.0

±100

Advantages

I_DSS

T_J= 25°C

T_J= 125°C

750

_GS= 0 V

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

R_DS(on)

28 mW

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98583A(6/99)

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IXFH70N15 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STP80NF12	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-CHANNEL 120V-0.013ohm-80A TO-220/TO-247/TO-
STP75NF75	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-CHANNEL 75V - 0.0095 ohm - 80A TO-220/TO-22
STP80NF10	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-CHANNEL 100V - 0.012ohm - 80A D2PAK LOW GAT

与IXFH70N15相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFH70N20Q3	LITTELFUSE	获取价格	Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和
IXFH70N30Q3	IXYS	获取价格	HiperFET Power MOSFETs Q3-Class
IXFH70N30Q3	LITTELFUSE	获取价格	Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和
IXFH72N30X3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH72N30X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFH74N20	IXYS	获取价格	HIPERFET POWER MOSFETs
IXFH74N20P	IXYS	获取价格	PolarHT HiPerFET Power MOSFET
IXFH74N20P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFH75N10	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFH75N10	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:

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