5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IXFH76N07-12
IXFH76N07-12 PDF预览

IXFH76N07-12

更新时间： 2024-11-21 14:56:19
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE /
页数 文件大小 规格书
5页 164K
描述
功能与特色: 应用: 优点:

阅读下载

中文翻译

获取价格

IXFH76N07-12 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Not Recommended
包装说明：TO-247, 3 PINReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.32其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：2000 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：70 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：76 A最大漏极电流 (ID)：76 A
最大漏源导通电阻：0.012 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-247JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：360 W
最大功率耗散 (Abs)：300 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：304 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IXFH76N07-12 数据手册

 浏览型号IXFH76N07-12的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXFH76N07-12的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXFH76N07-12的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXFH76N07-12的Datasheet PDF文件第5页 
HiPerFETTM  
VDSS  
ID25  
RDS(on)  
IXFH 76 N06-11  
IXFH 76 N06-12  
IXFH 76 N07-11  
IXFH 76 N07-12  
60V  
60V  
70V  
70V  
76 A 11 mW  
76 A 12 mW  
76 A 11 mW  
76 A 12 mW  
Power MOSFETs  
N-Channel Enhancement Mode  
High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family  
Preliminary data sheet  
Symbol  
VDSS  
TestConditions  
MaximumRatings  
TO-247 AD  
TJ = 25°C to 175°C  
N06  
N07  
60  
70  
V
V
VDGR  
TJ = 25°C to 175°C; RGS = 10 kW  
N06  
N07  
60  
70  
V
V
(TAB)  
VGS  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
VGSM  
ID25  
ID119  
IDM  
TC = 25°C (Chip capability = 125 A)  
TC = 119°C, limited by external leads  
TC = 25°C, pulse width limited by TJM  
TC = 25°C  
76  
76  
A
A
A
A
G = Gate,  
S = Source,  
D = Drain,  
TAB = Drain  
304  
100  
IAR  
Features  
EAR  
EAS  
TC = 25°C  
30  
2
mJ  
J
● Internationalstandardpackage  
JEDEC TO-247 AD  
dv/dt  
IS £ IDM, di/dt £ 100 A/ms, VDD £ VDSS  
TJ £ 150°C, RG = 2 W  
,
5
V/ns  
● Low RDS (on) HDMOSTM process  
● Rugged polysilicon gate cell structure  
● Unclamped Inductive Switching (UIS)  
rated  
PD  
TC = 25°C  
360  
W
TJ  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
TJM  
Tstg  
● Low package inductance  
- easy to drive and to protect  
● Fast intrinsic Rectifier  
-55 ... +150  
TL  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
Mountingtorque  
300  
°C  
Md  
1.15/10 Nm/lb.in.  
Weight  
6
g
Applications  
●
DC-DC converters  
Synchronousrectification  
Battery chargers  
Switched-modeandresonant-mode  
Symbol  
TestConditions  
CharacteristicValues  
●
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
●
min. typ. max.  
●
powersupplies  
DC choppers  
Temperatureandlightingcontrols  
Low voltage relays  
VDSS  
VGS = 0 V, ID = 250 mA  
N06  
N07  
60  
70  
V
V
●
●
VGS(th)  
IGSS  
VDS = VGS, ID = 4 mA  
2.0  
3.4  
V
●
VGS = ±20 VDC, VDS = 0  
±100 nA  
IDSS  
VDS = 0.8 • VDSS  
VGS = 0 V  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
100 mA  
500 mA  
Advantages  
●
Easy to mount with 1 screw  
RDS(on)  
VGS = 10 V, ID = 40 A  
76N06/N07-11  
76N06/N07-12  
11 mW  
12 mW  
(isolatedmountingscrewhole)  
Space savings  
High power density  
●
Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %  
●
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.  
© 2000 IXYS All rights reserved  
92785H(12/98)  
1 - 4  
12345

中文翻译

下载PDF

与IXFH76N07-12相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXFH76N15T2 IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor
IXFH76N15T2 LITTELFUSE

获取价格

 		这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXFH78N60X3 LITTELFUSE

获取价格

 		600V X3-Class超级结MOSFET IXFH78N60X3的标称额定电流为78A
IXFH7N100P LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXFH7N100P IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXFH7N80 IXYS

获取价格

 		HiPerFET Power MOSFETs
IXFH7N90 IXYS

获取价格

 		HIPERFET Power MOSFTETs
IXFH7N90 LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXFH7N90Q IXYS

获取价格

 		HiPerFETTM Power MOSFETs Q-Class
IXFH7N90Q_02 IXYS

获取价格

 		HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

与IXFH76N07-12相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证