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IXFH76N07-11

更新时间： 2024-11-21 14:56:47
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力特 - LITTELFUSE /
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IXFH76N07-11 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Not Recommended
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.32其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：2000 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：70 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：76 A最大漏极电流 (ID)：76 A
最大漏源导通电阻：0.011 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-247JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：360 W最大功率耗散 (Abs)：300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：304 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IXFH76N07-11 数据手册

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HiPerFETTM  
VDSS  
ID25  
RDS(on)  
IXFH 76 N06-11  
IXFH 76 N06-12  
IXFH 76 N07-11  
IXFH 76 N07-12  
60V  
60V  
70V  
70V  
76 A 11 mW  
76 A 12 mW  
76 A 11 mW  
76 A 12 mW  
Power MOSFETs  
N-Channel Enhancement Mode  
High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family  
Preliminary data sheet  
Symbol  
VDSS  
TestConditions  
MaximumRatings  
TO-247 AD  
TJ = 25°C to 175°C  
N06  
N07  
60  
70  
V
V
VDGR  
TJ = 25°C to 175°C; RGS = 10 kW  
N06  
N07  
60  
70  
V
V
(TAB)  
VGS  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
VGSM  
ID25  
ID119  
IDM  
TC = 25°C (Chip capability = 125 A)  
TC = 119°C, limited by external leads  
TC = 25°C, pulse width limited by TJM  
TC = 25°C  
76  
76  
A
A
A
A
G = Gate,  
S = Source,  
D = Drain,  
TAB = Drain  
304  
100  
IAR  
Features  
EAR  
EAS  
TC = 25°C  
30  
2
mJ  
J
● Internationalstandardpackage  
JEDEC TO-247 AD  
dv/dt  
IS £ IDM, di/dt £ 100 A/ms, VDD £ VDSS  
TJ £ 150°C, RG = 2 W  
,
5
V/ns  
● Low RDS (on) HDMOSTM process  
● Rugged polysilicon gate cell structure  
● Unclamped Inductive Switching (UIS)  
rated  
PD  
TC = 25°C  
360  
W
TJ  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
TJM  
Tstg  
● Low package inductance  
- easy to drive and to protect  
● Fast intrinsic Rectifier  
-55 ... +150  
TL  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
Mountingtorque  
300  
°C  
Md  
1.15/10 Nm/lb.in.  
Weight  
6
g
Applications  
●
DC-DC converters  
Synchronousrectification  
Battery chargers  
Switched-modeandresonant-mode  
Symbol  
TestConditions  
CharacteristicValues  
●
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
●
min. typ. max.  
●
powersupplies  
DC choppers  
Temperatureandlightingcontrols  
Low voltage relays  
VDSS  
VGS = 0 V, ID = 250 mA  
N06  
N07  
60  
70  
V
V
●
●
VGS(th)  
IGSS  
VDS = VGS, ID = 4 mA  
2.0  
3.4  
V
●
VGS = ±20 VDC, VDS = 0  
±100 nA  
IDSS  
VDS = 0.8 • VDSS  
VGS = 0 V  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
100 mA  
500 mA  
Advantages  
●
Easy to mount with 1 screw  
RDS(on)  
VGS = 10 V, ID = 40 A  
76N06/N07-11  
76N06/N07-12  
11 mW  
12 mW  
(isolatedmountingscrewhole)  
Space savings  
High power density  
●
Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %  
●
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.  
© 2000 IXYS All rights reserved  
92785H(12/98)  
1 - 4  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXFH76N07-12 IXYS

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