5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IRFPG50PBF
IRFPG50PBF PDF预览

IRFPG50PBF

更新时间： 2024-09-21 11:09:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
8页 1024K
描述
Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRFPG50PBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-247AC
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantFactory Lead Time：6 weeks
风险等级：0.74雪崩能效等级（Eas）：800 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：1000 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：6.1 A
最大漏极电流 (ID)：6.1 A最大漏源导通电阻：2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-247AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：190 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：24 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFPG50PBF 数据手册

 浏览型号IRFPG50PBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFPG50PBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFPG50PBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFPG50PBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFPG50PBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFPG50PBF的Datasheet PDF文件第7页 
IRFPG50, SiHFPG50  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
• Dynamic dV/dt Rating  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
1000  
Available  
• Repetitive Avalanche Rated  
R
DS(on) (Ω)  
VGS = 10 V  
2.0  
RoHS*  
• Isolated Central Mounting Hole  
• Fast Switching  
Qg (Max.) (nC)  
190  
23  
COMPLIANT  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
110  
• Ease of Paralleling  
Configuration  
Single  
• Simple Drive Requirements  
• Lead (Pb)-free Available  
D
TO-247  
DESCRIPTION  
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
The TO-247 package is preferred for commercial-industrial  
applications where higher power levels preclude the use of  
TO-220 devices. The TO-247 is similar but superior to the  
earlier TO-218 package because its isolated mounting hole.  
It also provides greater creepage distances between pins to  
meet the requirements of most safety specifications.  
G
S
D
S
N-Channel MOSFET  
G
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-247  
IRFPG50PbF  
SiHFPG50-E3  
IRFPG50  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHFPG50  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
1000  
20  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
V
VGS  
T
C = 25 °C  
6.1  
Continuous Drain Current  
V
GS at 10 V  
ID  
TC =100°C  
3.9  
A
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
24  
Linear Derating Factor  
1.5  
W/°C  
mJ  
A
Single Pulse Avalanche Energyb  
Repetitive Avalanche Currenta  
Repetitive Avalanche Energya  
EAS  
IAR  
800  
6.0  
EAR  
19  
mJ  
W
Maximum Power Dissipation  
TC = 25 °C  
PD  
190  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
dV/dt  
TJ, Tstg  
1.0  
V/ns  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
- 55 to + 150  
300d  
10  
°C  
for 10 s  
lbf · in  
N · m  
Mounting Torque  
6-32 or M3 screw  
1.1  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = 50 V, starting TJ = 25 °C, L = 40 mH, RG = 25 Ω, IAS = 6.1 A (see fig. 12).  
c. ISD ≤ 6.1 A, dI/dt ≤ 120 A/µs, VDD ≤ 600, TJ ≤ 150 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91254  
S-81368-Rev. A, 21-Jul-08  
www.vishay.com  
1
12345678

中文翻译

下载PDF

与IRFPG50PBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFPG52 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-247AC
IRFPG60 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 600V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRFPG60PBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 600V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRFPS29N60L INFINEON

获取价格

 		SMPS MOSFET
IRFPS29N60L VISHAY

获取价格

 		Power MOSFET
IRFPS29N60LPBF VISHAY

获取价格

 		Power MOSFET
IRFPS29N60LPBF INFINEON

获取价格

 		SMPS MOSFET
IRFPS30N60K INFINEON

获取价格

 		SMPS MOSFET
IRFPS30N60KPBF INFINEON

获取价格

 		SMPS MOSFET
IRFPS35N50L INFINEON

获取价格

 		HEXFETPower MOSFET

与IRFPG50PBF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证