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力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
5页 | 183K | |
描述 | ||
功能与特色: 优点: 应用: |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.72 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级(Eas): | 300 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 1000 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 5 A |
最大漏极电流 (ID): | 5 A | 最大漏源导通电阻: | 2.8 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-247 |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 250 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 10 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFH60N20 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs | |
IXFH60N20F | IXYS |
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HiPerRFTM Power MOSFETs | |
IXFH60N20F_08 | IXYS |
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HiPerRF Power MOSFET F-Class: MegaHertz Switching | |
IXFH60N25Q | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs Q-Class | |
IXFH60N50P3 | IXYS |
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Polar3 HiperFET Power MOSFET | |
IXFH60N50P3 | LITTELFUSE |
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PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的 | |
IXFH60N60X | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFH60N60X | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFH60N60X2A | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFH60N60X3 | LITTELFUSE |
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600V X3-Class超级结MOSFET IXFH60N60X3的标称额定电流为60A |