Datasheet > IXFH5N100P

IXFH5N100P

更新时间： 2024-11-19 14:56:03

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		/
页数	文件大小	规格书
5页	183K
描述
功能与特色: 优点: 应用:

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFH5N100P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.72	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	300 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	1000 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5 A
最大漏极电流 (ID)：	5 A	最大漏源导通电阻：	2.8 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	250 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	10 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFH5N100P 数据手册

Preliminary Technical Information

Polar^TMPower MOSFET

IXFA5N100P

IXFH5N100P

IXFP5N100P

V_DSS= 1000V

I_D25= 5A

R_DS(on)≤ 2.8Ω

HiPerFET^TM

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

TO-263 (IXFA)

(TAB)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

1000

TO-247 (IXFH)

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±30

±40

(TAB)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

I_A

T_C= 25°C

TO-220 (IXFP)

E_AS

300

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

250

T_J

-55 ... +150

150

°C

(TAB)

T_JM

T_stg

-55 ... +150

G = Gate

S = Source

= Drain

TAB = Drain

T_L

1.6mm (0.062) from case for 10s

Plastic body for 10s

300

260

°C

T_SOLD

Features

M_d

Mounting torque

(TO-220,TO-247)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

^zInternational standard packages

^zDynamic dv/dt Rating

^zAvalanche Rated

^zLow R_DS(ON), rugged Polar^TMprocess

^zLow Q_G

^zLow Drain-to-Tab capacitance

^zLow package inductance

Weight

TO-263

TO-220

TO-247

2.5

3.0

6.0

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Advantages

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

Easy to mount

Space savings

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

1000

3.0

6.0

Applications:

±100 nA

^zDC-DC converters

^zBattery chargers

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

10 μA

750 μA

^zSwitched-mode and resonant-mode

power supplies

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

2.8

^zUninterrupted power supplies

^zAC motor control

^zHigh speed power switching

applications

DS99923(07/08)

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与IXFH5N100P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFH60N20	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFH60N20F	IXYS	获取价格	HiPerRFTM Power MOSFETs
IXFH60N20F_08	IXYS	获取价格	HiPerRF Power MOSFET F-Class: MegaHertz Switching
IXFH60N25Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFH60N50P3	IXYS	获取价格	Polar3 HiperFET Power MOSFET
IXFH60N50P3	LITTELFUSE	获取价格	PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
IXFH60N60X	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH60N60X	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH60N60X2A	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH60N60X3	LITTELFUSE	获取价格	600V X3-Class超级结MOSFET IXFH60N60X3的标称额定电流为60A

与IXFH5N100P相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

37

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFH5N100P

IXFH5N100P 技术参数

IXFH5N100P 数据手册

与IXFH5N100P相关器件

与IXFH5N100P相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFH5N100P

IXFH5N100P 技术参数

IXFH5N100P 数据手册

与IXFH5N100P相关器件

与IXFH5N100P相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？