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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFH5N100 | IXYS |
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HIPERFET Power MOSFTETs |
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| IXFH5N100P | IXYS |
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Polar Power MOSFET HiPerFET |
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| IXFH5N100P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFH60N20 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFH60N20F | IXYS |
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HiPerRFTM Power MOSFETs |
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| IXFH60N20F_08 | IXYS |
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HiPerRF Power MOSFET F-Class: MegaHertz Switching |
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| IXFH60N25Q | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
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| IXFH60N50P3 | IXYS |
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Polar3 HiperFET Power MOSFET |
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| IXFH60N50P3 | LITTELFUSE |
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PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的 |
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| IXFH60N60X | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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