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IXTQ480P2

更新时间： 2024-11-05 14:51:43

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力特 - LITTELFUSE		/
页数	文件大小	规格书
3页	91K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXTQ480P2 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.72
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

IXTQ480P2 数据手册

Preliminary Technical Information

PolarP2^TM

Power MOSFET

V_DSS= 500V

I_D25= 52A

R_DS(on) 120m

t_rr(typ)= 400ns

IXTQ480P2

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

TO-3P

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25C to 150C

500

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

 30

 40

Tab

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

150

G = Gate

S = Source Tab = Drain

= Drain

I_A

E_AS

T_C= 25C

1.5

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150C

T_C= 25C

V/ns

960

Features

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

C

^Avalanche Rated

^Fast Intrinsic Diode

^Dynamic dv/dt Rated

^Low Package Inductance

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

Plastic Body for 10s

300

260

°C

M_d

Mounting Torque

1.13/10

5.5

Nm/lb.in.

Advantages

Weight

^High Power Density

^Easy to Mount

^Space Savings

Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

^Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

500

3.0

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS=  30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

^DC-DC Converters

^Laser Drivers

^AC and DC Motor Drives

^Robotics and Servo Controls

5.0

 100 nA

A

I_DSS

T_J= 125C

50 μA

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

120 m

DS100249A(4/16)

12 3

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