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IXFH50N80XA

更新时间： 2024-11-18 19:48:11

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力特 - LITTELFUSE		/
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7页	254K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXFH50N80XA 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.39
Base Number Matches：	1

IXFH50N80XA 数据手册

Advance Technical Information

X-Class HiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 800V

I_D25= 50A

IXFH50N80XA

R_DS(on) 105m

AEC Q101 Qualified

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

TO-247

(IXFH)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

800

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

D (Tab)

= Drain

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

G = Gate

S = Source

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

Tab = Drain

125

I_A

T_C= 25C

E_AS

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns

890

T_J

-55 ... +150

150

C

Features

T_JM

T_stg



-55 ... +150

International Standard Package

High Voltage Package

Low R_DS(ON)and Q_G

Avalanche Rated

Low Package Inductance



T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

M_d

Mounting Torque

1.13 / 10

Nm/lb.in

Weight

Advantages



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings



Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.



Switch-Mode and Resonant-Mode

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

800

Power Supplies

DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives



3.5

5.5



100 nA



Robotics and Servo Controls

I_DSS

25 A

T_J= 125C

3 mA

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

105 m

DS100947A(10/18)

12 3 4 5 6 7

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