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力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
6页 | 215K | |
描述 | ||
功能与特色: 优点: 应用: |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.69 | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 1000 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 300 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 52 A | 最大漏极电流 (ID): | 52 A |
最大漏源导通电阻: | 0.066 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-247 | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 400 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 150 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFH52N30Q | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low t Low Gate Charge and Capacita | |
IXFH52N30Q | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: | |
IXFH52N50P2 | IXYS |
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PolarP2 HiperFET Power MOSFET | |
IXFH52N50P2 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFH56N30X3 | LITTELFUSE |
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超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,可提供出类拔萃的质量因数(导通电阻乘 | |
IXFH58N20 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs | |
IXFH58N20 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: | |
IXFH58N20Q | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs | |
IXFH58N20Q | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: | |
IXFH58N20S | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 58A I(D) | TO-247VAR |