IXFH40N30Q

更新时间： 2024-02-13 06:11:56

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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2页	55K
描述
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

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IXFH40N30Q 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.71	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	300 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	40 A	最大漏极电流 (ID)：	40 A
最大漏源导通电阻：	0.085 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	300 W	最大功率耗散 (Abs)：	300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	160 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	190 ns	最大开启时间（吨）：	120 ns
Base Number Matches：	1

IXFH40N30Q 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

Q-Class

IXFH 40N30Q

IXFT 40N30Q

V_DSS= 300 V

I_D25= 40 A

R_DS(on)= 80 mW

t_rr£ 250 ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, High dv/dt, Low Q_g

Preliminary data sheet

TO-268 (IXFT) Case Style

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

300

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

(TAB)

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

160

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

TO-247 AD (IXFH)

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

1.0

(TAB)

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

P_D

T_C= 25°C

300

G = Gate

D = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

S = Source

TAB = Drain

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Mountingtorque

300

°C

Features

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

• IXYS advanced low Q_gprocess

• Internationalstandardpackages

• Low gate charge and capacitance

- easier to drive

Weight

TO-247

TO-268

- faster switching

• Low R_{DS (on)}

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

• Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

• Molding epoxies meet UL94V-0

flammabilityclassification

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 mA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

V_DS= V_DSS

300

2.0

±100

Advantages

I_DSS

T_J= 25°C

T_J= 125°C

_GS= 0 V

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

R_DS(on)

80 mW

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98504A(6/99)

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IXFH40N30Q 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STD60NF06T4	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 60V - 0.014ohm - 60A - DPAK STripFET II Power MOSFET
STD18N55M5	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 550 V, 0.18 Î©, 13 A, MDmeshâ¢ V P
STD6N95K5	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 950 V, 1 Î© typ., 9 A Zener-protect

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