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IXFH42N20

更新时间： 2024-11-04 22:15:15

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HiPerFET Power MOSFETs

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IXFH42N20 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-247AD	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	3.16
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	42 A
最大漏极电流 (ID)：	42 A	最大漏源导通电阻：	0.06 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	300 W	最大功率耗散 (Abs)：	300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	168 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFH42N20 数据手册

HiPerFET^TM

V_DSS

I_D25R_DS(on)

Power MOSFETs

200V 42 A 60mW

200V 50 A 45mW

200V 58 A 40mW

IXFH/IXFM42N20

IXFH/IXFM/IXFT50N20

IXFH/IXFT58N20

N-Channel Enhancement Mode

High dv/dt, Low t_rr, HDMOS^TMFamily

t_rr£ 200 ns

TO-247AD(IXFH)

(TAB)

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

200

TO-268(D3)CaseStyle

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

V_GSM

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

42N20

50N20

58N20

42N20

50N20

58N20

42N20

50N20

58N20

168

200

232

(TAB)

TO-204 AE (IXFM)

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

G = Gate,

S = Source,

D = Drain,

TAB = Drain

E_AR

T_C= 25°C

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

Features

P_D

T_C= 25°C

300

• Internationalstandardpackages

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

T_J

-55 ... +150

150

°C

• Ruggedpolysilicongatecellstructure

• UnclampedInductiveSwitching(UIS)

rated

• Lowpackageinductance

- easy to drive and to protect

• FastintrinsicRectifier

T_JM

T_stg

-55 ... +150

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Mountingtorque

300

°C

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-204 = 18 g, TO-247 = 6 g

Applications

• DC-DC converters

• Synchronousrectification

• Batterychargers

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

• DC choppers

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

• ACmotorcontrol

• Temperatureandlightingcontrols

• Lowvoltagerelays

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 mA

200

V_GS(th)

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

Advantages

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100 nA

200 mA

• Easy to mount with 1 screw (TO-247)

(isolatedmountingscrewhole)

• Highpowersurfacemountablepackage

• Highpowerdensity

V_DS= 0.8 • V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

91522H(2/98)

1 - 4

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXFH42N50P2	IXYS	获取价格	PolarP2 HiperFET Power MOSFET
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IXFH42N60P3	IXYS	获取价格	Polar3 HiperFET Power MOSFET
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IXFH44N50Q3	LITTELFUSE	获取价格	Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和

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