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IXFH40N50Q

更新时间： 2023-12-18 00:00:00

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描述
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

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IXFH40N50Q 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.71	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	2 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (ID)：	40 A	最大漏源导通电阻：	0.14 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	160 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFH40N50Q 数据手册

Advanced Technical Information

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

Q-Class

IXFH 40N50Q

IXFT 40N50Q

V_DSS

I_D25

= 500 V

= 40 A

R_DS(on)= 0.14 Ω

t_rr≤ 250 ns

N-ChannelEnhancementMode

Avalanche Rated, Low Q_g, High dv/dt

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247AD(IXFH)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

500

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±30

±40

(TAB)

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

160

TO-268 (D3) ( IXFT)

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

2.5

(TAB)

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

G = Gate

= Drain

P_D

T_C= 25°C

500

S = Source TAB = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 to +150

150

-55 to +150

°C

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

Mounting torque

300

°C

Features

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

^zIXYS advanced low Q_gprocess

^zLow gate charge and capacitances

- easier to drive

Weight

TO-247

TO-268

- faster switching

^zInternational standard packages

^zLow R_{DS (on)}

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

^zRated for unclamped Inductive load

switching (UIS) rated

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min.

typ.

max.

^zMolding epoxies meet UL 94 V-0

flammability classification

V_DSS

V_GS(th)

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

500

2.5

4.5

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±30 V_DC, V_DS= 0

±100

Advantages

V_DS= V

= 25°C

µA

V_GS= 0^DV^SS

T_J^J= 125°C

Easy to mount

Space savings

R_DS(on)

= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

0.14

Ω

P^Gu^Slse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

High power density

DS99002(01/03)

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