5秒后页面跳转

Datasheet > IXFH42N20

IXFH42N20 PDF预览

IXFH42N20

更新时间： 2023-12-06 20:13:11

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		/
页数	文件大小	规格书
5页	704K
描述
功能与特色: 应用: 优点:

阅读下载

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFH42N20 数据手册

浏览型号IXFH42N20的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号IXFH42N20的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号IXFH42N20的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号IXFH42N20的Datasheet PDF文件第5页

HiPerFET^TM

V_DSS

I_D25R_DS(on)

Power MOSFETs

200V 42 A 60mW

200V 50 A 45mW

200V 58 A 40mW

IXFH/IXFM42N20

IXFH/IXFM/IXFT50N20

IXFH/IXFT58N20

N-Channel Enhancement Mode

High dv/dt, Low t_rr, HDMOS^TMFamily

Obsolete:

t_rr£ 200 ns

IXFM42N20

TO-247AD(IXFH)

IXFM50N20

(TAB)

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

200

200

V

V

TO-268(D3)CaseStyle

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

V

V

V_GSM

G

S

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

42N20

50N20

58N20

42N20

50N20

58N20

42N20

50N20

58N20

42

50

58

168

200

232

42

A

A

A

A

A

A

A

A

A

(TAB)

TO-204 AE (IXFM)

Package

unavailable

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

S

50

58

G

D

G = Gate,

S = Source,

D = Drain,

TAB = Drain

E_AR

T_C= 25°C

30

5

mJ

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

,

V/ns

Features

P_D

T_C= 25°C

300

W

• Internationalstandardpackages

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

T_J

-55 ... +150

150

°C

°C

°C

• Ruggedpolysilicongatecellstructure

• UnclampedInductiveSwitching(UIS)

rated

• Lowpackageinductance

- easy to drive and to protect

• FastintrinsicRectifier

T_JM

T_stg

-55 ... +150

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Mountingtorque

300

°C

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-204 = 18 g, TO-247 = 6 g

Applications

• DC-DC converters

• Synchronousrectification

• Batterychargers

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

• DC choppers

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

• ACmotorcontrol

• Temperatureandlightingcontrols

• Lowvoltagerelays

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 mA

200

2

V

V

V_GS(th)

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

4

Advantages

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100 nA

200 mA

• Easy to mount with 1 screw (TO-247)

(isolatedmountingscrewhole)

• Highpowersurfacemountablepackage

• Highpowerdensity

V_DS= 0.8 • V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

1

mA

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

© 2000 IXYS All rights reserved

91522H(2/98)

1 - 4

12 3 4 5

下载PDF

与IXFH42N20相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IXFH42N20S	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 42A I(D) \| TO-247VAR	获取价格
IXFH42N50P2	IXYS	PolarP2 HiperFET Power MOSFET	获取价格
IXFH42N50P2	LITTELFUSE	功能与特色: 优点: 应用:	获取价格
IXFH42N60P3	IXYS	Polar3 HiperFET Power MOSFET	获取价格
IXFH42N60P3	LITTELFUSE	PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的	获取价格
IXFH42N65X2A	LITTELFUSE	Power Field-Effect Transistor,	获取价格

与IXFH42N20相关文章

您还可以找

热门产品

PCB打样/小批量

BOM智能配单

精选活动

PCBA打样特惠

四六层板品质升级

铝基板品质升级

一体化电子制造

服务支持

关于捷配

帮助中心

全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号

微信公众号

捷配网-微信公众号

抖音公众号

资质认证：

合作快递：

支付方式：

Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司

浙公网安备 33010502006866号浙ICP备10014259号-119 营业执照 ICP证