IXFT32N50Q

更新时间： 2024-01-28 23:56:19

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描述
HiPerFET⑩ Power MOSFETs Q-Class

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IXFT32N50Q 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-268AA
包装说明：	TO-268, 3 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.81
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	32 A
最大漏极电流 (ID)：	32 A	最大漏源导通电阻：	0.16 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-268AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	360 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	128 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFT32N50Q 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

Q-Class

IXFH 32N50Q

IXFT 32N50Q

V_DSSI_D25

R_DS(on)

500 V 32 A 0.16 Ω

t_rr≤ 250 ns

N-ChannelEnhancementMode

AvalancheRated, LowQ_g,Highdv/dt

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247AD(IXFH)

V_DSS

V_DGR

= 25°C to 150°C

500

T^J_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

Continuous

Transient

V_GSM

(TAB)

I_D25

I_DM

I_AR

= 25°C

128

T^C= 25°C; pulse width limited by T_JM

T^C_C= 25°C

TO-268 (D3) ( IXFT)

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

1500

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

(TAB)

P_D

T_C= 25°C

416

T_J

-55 ... + 150

150

°C

G = Gate

= Drain

T_JM

T_stg

S = Source

TAB = Drain

-55 ... + 150

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

Mounting torque

300

°C

M_d

1.13/10

Nm/lb.in.

Weight

TO-247

TO-268

Features

IXYS advanced low Q_gprocess

Low gate charge and capacitances

- easier to drive

- faster switching

Symbol

V_DSS

TestConditions

Characteristic Values

International standard packages

Low R_{DS (on)}

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min.

typ.

max.

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Molding epoxies meet UL 94 V-0

flammability classification

V_GS= 0 V, I_D= 250 uA

500

V_GS(th)

I_GSS

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

2.5

4.5

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

100

Advantages

I_DSS

V_DS= V

T = 25°C

100

µA

V_GS= 0^DV^SS

T_J^J= 125°C

Easy to mount

Space savings

R_DS(on)

= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

0.16

Ω

N^Go^Ste 1

High power density

DS98596E(02/04)

12 3 4

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFT32N50	IXYS	类似代替	HiPerFET Power MOSFETs
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IXFJ32N50Q	IXYS	功能相似	HiPerFET Power MOSFETs

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IXFT36N50P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFT36N55Q	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 550V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXFT36N55Q	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 550V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXFT36N60P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
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IXFT400N075T2	IXYS	获取价格	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFT400N075T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
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