IXFT32N50

更新时间： 2024-11-04 22:51:43

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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4页	113K
描述
HiPerFET Power MOSFETs

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IXFT32N50 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-268
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.81
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	32 A	最大漏极电流 (ID)：	32 A
最大漏源导通电阻：	0.15 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-268	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	360 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	128 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFT32N50 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

V_DSS

I_D25

R_DS(on)

IXFH/IXFT 30N50

IXFH/IXFT 32N50

500V

30 A 0.16 W

32 A 0.15 W

N-Channel Enhancement Mode

High dv/dt, Low t_rr, HDMOS^TMFamily

t_rr£ 250 ns

TO-247 AD (IXFH)

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

500

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

D (TAB)

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

30N50

32N50

30N50

32N50

30N50

32N50

120

128

T_C= 25°C

pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

TO-268 (D3) Case Style

E_AS

T_C= 25°C

I_D= 25°C

1.5

(TAB)

E_AR

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

V/ns

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

G = Gate,

S = Source,

D = Drain,

TAB = Drain

P_D

T_C= 25°C

360

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Features

• Internationalstandardpackages

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

• Rugged polysilicon gate cell structure

• Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Mountingtorque

300

°C

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

• Low package inductance

- easy to drive and to protect

• Fast intrinsic Diode

Symbol

V_DSS

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ.

max.

Applications

• DC-DC converters

V_GS= 0 V, I_D= 1 mA

500

• Battery chargers

V_DSStemperature coefficient

0.102

%/K

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

• DC choppers

V_GS(th)V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

V_GS(th)temperature coefficient

-0.206

%/K

• AC motor control

• Temperatureandlightingcontrols

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100

V_DS= 0.8 • V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

200

Advantages

• Easy to mount with 1 screw (TO-247)

(isolatedmountingscrewhole)

• Space savings

R_DS(on)V_GS= 10 V, I_D= 15A

32N50

30N50

0.15

0.16

Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %

• High power density

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

97518H(6/99)

1 - 4

12 3 4

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IXFT32N50Q	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFT340N075T2	IXYS	获取价格	TrenchT2 HiPerFET Power MOSFET
IXFT36N50P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFT36N50P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFT36N55Q	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 550V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXFT36N55Q	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 550V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXFT36N60P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
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