IXFT32N50

更新时间： 2024-01-22 21:26:51

品牌	Logo	应用领域
IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
4页	113K
描述
HiPerFET Power MOSFETs

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFT32N50 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-268AA
包装说明：	TO-268, 3 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.81
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	32 A
最大漏极电流 (ID)：	32 A	最大漏源导通电阻：	0.16 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-268AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	360 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	128 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFT32N50 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

V_DSS

I_D25

R_DS(on)

IXFH/IXFT 30N50

IXFH/IXFT 32N50

500V

30 A 0.16 W

32 A 0.15 W

N-Channel Enhancement Mode

High dv/dt, Low t_rr, HDMOS^TMFamily

t_rr£ 250 ns

TO-247 AD (IXFH)

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

500

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

D (TAB)

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

30N50

32N50

30N50

32N50

30N50

32N50

120

128

T_C= 25°C

pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

TO-268 (D3) Case Style

E_AS

T_C= 25°C

I_D= 25°C

1.5

(TAB)

E_AR

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

V/ns

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

G = Gate,

S = Source,

D = Drain,

TAB = Drain

P_D

T_C= 25°C

360

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Features

• Internationalstandardpackages

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

• Rugged polysilicon gate cell structure

• Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Mountingtorque

300

°C

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

• Low package inductance

- easy to drive and to protect

• Fast intrinsic Diode

Symbol

V_DSS

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ.

max.

Applications

• DC-DC converters

V_GS= 0 V, I_D= 1 mA

500

• Battery chargers

V_DSStemperature coefficient

0.102

%/K

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

• DC choppers

V_GS(th)V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

V_GS(th)temperature coefficient

-0.206

%/K

• AC motor control

• Temperatureandlightingcontrols

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100

V_DS= 0.8 • V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

200

Advantages

• Easy to mount with 1 screw (TO-247)

(isolatedmountingscrewhole)

• Space savings

R_DS(on)V_GS= 10 V, I_D= 15A

32N50

30N50

0.15

0.16

Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %

• High power density

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

97518H(6/99)

1 - 4

12 3 4

中文翻译

下载PDF

IXFT32N50 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFT32N50Q	IXYS	类似代替	HiPerFET⑩ Power MOSFETs Q-Class
IXFX30N50Q	IXYS	功能相似	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFJ32N50Q	IXYS	功能相似	HiPerFET Power MOSFETs

与IXFT32N50相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFT32N50Q	IXYS	获取价格	HiPerFET⑩ Power MOSFETs Q-Class
IXFT32N50Q	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFT340N075T2	IXYS	获取价格	TrenchT2 HiPerFET Power MOSFET
IXFT36N50P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFT36N50P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFT36N55Q	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 550V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXFT36N55Q	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 550V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXFT36N60P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFT36N60P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFT400N075T2	IXYS	获取价格	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFT32N50

IXFT32N50 技术参数

IXFT32N50 数据手册

IXFT32N50 替代型号

与IXFT32N50相关器件

与IXFT32N50相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFT32N50

IXFT32N50 技术参数

IXFT32N50 数据手册

IXFT32N50 替代型号

与IXFT32N50相关器件

与IXFT32N50相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？