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IXFT340N075T2

更新时间： 2024-01-16 06:00:57

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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6页	181K
描述
TrenchT2 HiPerFET Power MOSFET

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IXFT340N075T2 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.76
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

IXFT340N075T2 数据手册

Advance Technical Information

TrenchT2^TMHiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 75V

I_D25= 340A

R_DS(on)≤ 3.2mΩ

IXFH340N075T2

IXFT340N075T2

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

TO-247 (IXFH)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

D (TAB)

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C, R_GS= 1MΩ

V_DGR

V_GSM

Transient

± 20

TO-268 (IXFT)

I_D25

I_LRMS

I_DM

T_C= 25°C (Chip Capability)

Lead Current Limit, RMS

340

160

850

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

I_A

T_C= 25°C

170

960

935

D (TAB)

E_AS

P_D

G = Gate

= Drain

S = Source

TAB = Drain

T_J

-55 ... +175

175

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +175

Features

T_L

T_sold

1.6mm (0.062in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 seconds

300

260

°C

^zInternational Standard Packages

^z175°C Operating Temperature

^zHigh Current Handling Capability

^zAvalanche Rated

M_d

Mounting Torque (TO-247)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Weight

TO-247

TO-268

^zFast Intrinsic Diode

Low R_DS(on)

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 3mA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

2.0

4.0

±200 nA

Applications

I_DSS

25 μA

T_J= 150°C

1.5 mA

DC/DC Converters and Off-line UPS

Primary- Side Switch

High Current Switching Applications

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 100A, Note 1

3.2 mΩ

DS100194(9/09)

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