Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IXFT340N075T2

IXFT340N075T2

更新时间： 2024-11-18 11:14:07

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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6页	181K
描述
TrenchT2 HiPerFET Power MOSFET

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IXFT340N075T2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-268AA
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	960 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	75 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	340 A
最大漏极电流 (ID)：	340 A	最大漏源导通电阻：	0.0032 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-268AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	935 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	850 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFT340N075T2 数据手册

Advance Technical Information

TrenchT2^TMHiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 75V

I_D25= 340A

R_DS(on)≤ 3.2mΩ

IXFH340N075T2

IXFT340N075T2

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

TO-247 (IXFH)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

D (TAB)

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C, R_GS= 1MΩ

V_DGR

V_GSM

Transient

± 20

TO-268 (IXFT)

I_D25

I_LRMS

I_DM

T_C= 25°C (Chip Capability)

Lead Current Limit, RMS

340

160

850

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

I_A

T_C= 25°C

170

960

935

D (TAB)

E_AS

P_D

G = Gate

= Drain

S = Source

TAB = Drain

T_J

-55 ... +175

175

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +175

Features

T_L

T_sold

1.6mm (0.062in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 seconds

300

260

°C

^zInternational Standard Packages

^z175°C Operating Temperature

^zHigh Current Handling Capability

^zAvalanche Rated

M_d

Mounting Torque (TO-247)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Weight

TO-247

TO-268

^zFast Intrinsic Diode

Low R_DS(on)

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 3mA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

2.0

4.0

±200 nA

Applications

I_DSS

25 μA

T_J= 150°C

1.5 mA

DC/DC Converters and Off-line UPS

Primary- Side Switch

High Current Switching Applications

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 100A, Note 1

3.2 mΩ

DS100194(9/09)

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IXFT36N50P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
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IXFT36N55Q	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 550V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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IXFT400N075T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXFT40N30Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
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