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IXFT320N10T2

更新时间： 2024-02-28 02:21:22

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描述
TrenchT2 HiperFET Power MOSFET

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IXFT320N10T2 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-268AA	包装说明：	PLASTIC, TO-268, 3 PIN
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.73	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	320 A	最大漏极电流 (ID)：	320 A
最大漏源导通电阻：	0.0035 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-268AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1000 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	800 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFT320N10T2 数据手册

Advance Technical Information

TrenchT2^TMHiperFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 100V

I_D25= 320A

R_DS(on)≤ 3.5mΩ

IXFH320N10T2

IXFT320N10T2

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-247 (IXFH)

Fast Intrinsic Diode

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C, R_GS= 1MΩ

100

V_DGR

TO-268 (IXFT)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 20

± 30

I_D25

I_LRMS

I_DM

T_C= 25°C (Chip Capability)

Lead Current Limit, RMS

320

160

800

D (Tab)

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

I_A

T_C= 25°C

160

1.5

G = Gate

S = Source

= Drain

E_AS

Tab = Drain

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 175°C

T_C= 25°C

V/ns

Features

1000

^zHigh Current Handling Capability

^zFast Intrinsic Diode

T_J

-55 ... +175

175

°C

T_JM

T_stg

^zAvalanche Rated

-55 ... +175

^zFast Intrinsic Diode

T_L

T_sold

1.6mm (0.062in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 seconds

300

260

°C

Low R_DS(on)

M_d

Mounting Torque (TO-247)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Advantages

Weight

TO-247

TO-268

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

100

2.0

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

Applications

4.0

Synchronous Recification

DC-DC Converters

Battery Chargers

Switch-Mode and Resonant-Mode

±200 nA

I_DSS

25 μA

T_J= 150°C

V_GS= 10V, I_D= 100A, Notes 1 & 2

1.75 mA

Power Supplies

DC Choppers

AC Motor Drives

Uninterruptible Power Supplies

R_DS(on)

3.5 mΩ

High Speed Power Switching

Applications

DS100237(2/10)

12 3 4 5 6

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