IXFT30N60Q

更新时间： 2024-11-05 11:14:07

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描述
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

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IXFT30N60Q 数据手册

HiPerFET^TM

PowerMOSFETs

Q-Class

IXFH 30N60Q V_DSS

IXFT 30N60Q I_D25

= 600 V

30 A

R_DS(on)= 0.23 Ω

t_rr≤ 250 ns

N-ChannelEnhancementMode

AvalancheRated, Highdv/dt, LowQ_g

Preliminary Data Sheet

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247 AD (IXFH)

V_DSS

V_DGR

= 25°C to 150°C

600

T^J_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

(TAB)

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

I_D25

I_DM

I_AR

= 25°C

120

T^C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T^C_C= 25°C

TO-268 (D3) ( IXFT)

E_AR

E_AS

= 25°C

1.5

T^C_C= 25°C

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

(TAB)

P_D

T_C= 25°C

500

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

300

°C

Features

M_d

Mountingtorque

TO-247

1.13/10 Nm/lb.in.

Low gate charge

Weight

TO-247

TO-268

International standard packages

Epoxy meet UL 94 V-0, flammability

classification

Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

Rugged polysilicon gate cell structure

Avalanche energy and current rated

Fast intrinsic Rectifier

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 250µA

600

2.5

Advantages

Temperature Coefficient

0.095

- 0.24

%/K

V_GS(th)

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

Temperature Coefficient

4.5

%/K

Easy to mount

Space savings

I_GSS

I_DSS

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

200 nA

High power density

V_DS= V

T = 25°C

T_J^J= 125°C

25 µA

V_GS= 0^DV^SS

R_DS(on)

= 10 V, I_D= 0.5 • I

0.23

Ω

Pu^GSlse test, t ≤ 300 µs,^Dd²⁵uty cycle d ≤ 2 %

DS99059(06/03)

12 3 4

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IXFT30N60Q 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTT30N60P	IXYS	类似代替	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXFT30N60P	IXYS	类似代替	PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXFH30N60P	IXYS	功能相似	PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode

与IXFT30N60Q相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFT30N60X	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFT30N85XHV	IXYS	获取价格	MOSFET N-CH 850V 30A TO268
IXFT30N85XHV	LITTELFUSE	获取价格	采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通
IXFT320N10T2	IXYS	获取价格	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFT320N10T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXFT32N100XHV	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFT32N50	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFT32N50Q	IXYS	获取价格	HiPerFET⑩ Power MOSFETs Q-Class
IXFT32N50Q	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFT340N075T2	IXYS	获取价格	TrenchT2 HiPerFET Power MOSFET

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