5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-268AA |
| 包装说明： | TO-268, 3 PIN | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 8.3 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1000 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 900 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 24 A | 最大漏极电流 (ID)： | 24 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.42 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-268AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 660 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 48 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFT26N100XHV | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IXFT26N50 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs |
|
| IXFT26N50 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
|
| IXFT26N50Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs |
|
| IXFT26N50QSN | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 500V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IXFT26N55Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
|
| IXFT26N60 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs |
|
| IXFT26N60P | IXYS |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated |
|
| IXFT26N60P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
|
| IXFT26N60Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFETTM Power MOSFETs Q-Class |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
