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IXFT30N50P

更新时间： 2024-02-23 09:11:07

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力特 - LITTELFUSE		/
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PolarHV^TMHiPerFET

Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

V_DSS= 500 V

I_D25= 30 A

R_DS(on)≤ 200 mΩ

≤ 200 ns

IXFH 30N50P

IXFT 30N50P

IXFV 30N50P

IXFV 30N50PS

t_rr

Fast Intrinsic Diode

TO-247 AD (IXFH)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 150° C

500

500

V

D (TAB)

T_J= 25° C to 150° C; R_GS= 1 MΩ

V

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

V

V

TO-268 (IXFT)

I_D25

I_DM

T_C=25° C

30

75

A

A

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

G

S

I_AR

E_AR

E_AS

T_C=25° C

T_C=25° C

T_C=25° C

30

40

1.2

A

mJ

J

D (TAB)

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤150° C, R_G= 5 Ω

,

10

V/ns

PLUS220 (IXFV)

T_C=25° C

460

W

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

°C

°C

G

D

S

D (TAB)

PLUS220 SMD(IXFV..S)

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

°C

M

Mounting torque (TO-247, TO-3P)

Mounting force (PLUS220, PLUS220SMD)

1.13/10 Nm/lb.in

11 65/2.5 15 N/lb.

F_C^d

G

S

D (TAB)

Weight

PLUS220, PLUS220SMD

TO-268

TO-247

4

5

6

g

g

g

G = Gate

D = Drain

S = Source

TAB = Drain

Features

Symbol

Test Conditions

(T_J= 25° C, unless otherwise specified)

Characteristic Values

Min. Typ. Max.

l

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

l

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

V_GS= 30 V, V_DS= 0 V

500

3.0

V

V

l

Low package inductance

- easy to drive and to protect

5.0

100

nA

Advantages

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

25

750

µA

µA

l

Easy to mount

Space savings

T_J= 125°C

l

l

High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

165

200

mΩ

Pulse test, t ≤300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99414E(04/06)

© 2006 IXYS All rights reserved

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