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IXFT30N50P

更新时间： 2024-11-06 14:56:15

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力特 - LITTELFUSE		/
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IXFT30N50P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.71	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1200 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (ID)：	30 A
最大漏源导通电阻：	0.2 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-268AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	75 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFT30N50P 数据手册

PolarHV^TMHiPerFET

Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

V_DSS= 500 V

I_D25= 30 A

R_DS(on)≤ 200 mΩ

≤ 200 ns

IXFH 30N50P

IXFT 30N50P

IXFV 30N50P

IXFV 30N50PS

t_rr

Fast Intrinsic Diode

TO-247 AD (IXFH)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 150° C

500

D (TAB)

T_J= 25° C to 150° C; R_GS= 1 MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

TO-268 (IXFT)

I_D25

I_DM

T_C=25° C

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

I_AR

E_AR

E_AS

T_C=25° C

1.2

D (TAB)

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤150° C, R_G= 5 Ω

V/ns

PLUS220 (IXFV)

T_C=25° C

460

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

D (TAB)

PLUS220 SMD(IXFV..S)

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

Mounting torque (TO-247, TO-3P)

Mounting force (PLUS220, PLUS220SMD)

1.13/10 Nm/lb.in

11 65/2.5 15 N/lb.

F_C^d

D (TAB)

Weight

PLUS220, PLUS220SMD

TO-268

TO-247

G = Gate

D = Drain

S = Source

TAB = Drain

Features

Symbol

Test Conditions

(T_J= 25° C, unless otherwise specified)

Characteristic Values

Min. Typ. Max.

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

V_GS= 30 V, V_DS= 0 V

500

3.0

Low package inductance

- easy to drive and to protect

5.0

100

Advantages

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

750

µA

Easy to mount

Space savings

T_J= 125°C

High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

165

200

mΩ

Pulse test, t ≤300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99414E(04/06)

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXFT30N60Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFT30N60X	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFT30N85XHV	IXYS	获取价格	MOSFET N-CH 850V 30A TO268
IXFT30N85XHV	LITTELFUSE	获取价格	采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通
IXFT320N10T2	IXYS	获取价格	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFT320N10T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
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