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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Not Recommended |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.71 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 1.5 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 400 V | 最大漏极电流 (ID)： | 30 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.16 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-268 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 120 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFT30N50 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFT30N50P | IXYS |
获取价格 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFT30N50P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFT30N50Q3 | IXYS |
获取价格 |
HiperFETTM Power MOSFETs Q3-Class |
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| IXFT30N60P | IXYS |
获取价格 |
PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
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| IXFT30N60P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFT30N60Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
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| IXFT30N60X | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFT30N85XHV | IXYS |
获取价格 |
MOSFET N-CH 850V 30A TO268 |
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| IXFT30N85XHV | LITTELFUSE |
获取价格 |
采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通 |
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