IXFT26N60

更新时间： 2024-09-19 22:44:59

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HiPerFET Power MOSFETs

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IXFT26N60 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-268AA
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.72
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	26 A
最大漏极电流 (ID)：	26 A	最大漏源导通电阻：	0.25 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-268AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	360 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	104 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFT26N60 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

V_DSS

I_D25

R_DS(on)

IXFH 26N60/IXFT 26N60

IXFK 28N60

600V 26 A 0.25 W

600V 28 A 0.25 W

t_rr£ 250 ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, High dv/dt, Low t_rr

Preliminary data

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

IXFH/ IXFT

IXFK

TO-247AD(IXFH)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

(TAB)

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

±20

±30

V_GSM

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C, Chip capability

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

104

112

TO-268 (D3) ( IXFT)

(TAB)

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

1.5

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

TO-264AA(IXFK)

P_D

T_C= 25°C

360

416

T_J

-55 ... +150

150

-55 ... +150

300 300

°C

T_JM

T_stg

D (TAB)

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

Mountingtorque

°C

G = Gate

S = Source

TAB = Drain

M_d

1.13/10

0.9/6 Nm/lb.in.

Either Source terminal at miniBLOC can be used

as Main or Kelvin Source

Weight

Features

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

• Internationalstandardpackages

• EpoxymeetUL94V-0,flammability

classification

min. typ. max.

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

• Rugged polysilicon gate cell structure

• Avalanche energy and current rated

• Fast intrinsic Rectifier

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 mA

600

V_GS(th)

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

4.5

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±200 nA

25 mA

V_DS= 0.8 • V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

Advantages

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %

0.25

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98511B(7/00)

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