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IXFT28N50F PDF预览

IXFT28N50F

更新时间： 2024-02-09 19:11:56
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IXYS /
页数 文件大小 规格书
2页 106K
描述
HiPerRF Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching

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IXFT28N50F 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Transferred
零件包装代码：TO-268AA包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G2
针数：4Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.76雪崩能效等级（Eas）：1500 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (ID)：28 A
最大漏源导通电阻：0.2 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-268AAJESD-30 代码：R-PDSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：112 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IXFT28N50F 数据手册

 浏览型号IXFT28N50F的Datasheet PDF文件第2页 
Advance Technical Information  
HiPerRFTM  
Power MOSFETs  
F-Class: MegaHertz Switching  
IXFH 28N50F VDSS  
IXFT 28N50F ID25  
= 500V  
= 28A  
RDS(on) = 190mΩ  
t ≤ 250 ns  
rr  
N-ChannelEnhancementMode  
Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic Rg  
High dV/dt, Low trr  
TO-247AD(IXFH)  
Symbol  
TestConditions  
Maximum Ratings  
(TAB)  
VDSS  
VDGR  
T
T
= 25°C to 150°C  
= 25°C to 150°C; R = 1 MΩ  
500  
500  
V
V
J
J
GS  
VGS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
TO-268 (IXFT) Case Style  
ID25  
IDM  
IAR  
T
= 25°C  
28  
112  
28  
A
A
A
C
T
= 25°C, pulse width limited by T  
= 25°C  
C
JM  
T
C
G
(TAB)  
=
S
EAR  
EAS  
T
= 25°C  
= 25°C  
35  
1.5  
mJ  
J
C
T
C
G
S
=
Gate,D  
Source,TAB  
Drain,  
Drain  
dv/dt  
I
≤ I , di/dt ≤ 100 A/µs, V ≤ V  
10  
V/ns  
S
DM  
DD  
DSS  
=
=
T
≤ 150°C, R = 2 Ω  
J
G
PD  
TJ  
T
= 25°C  
315  
W
C
Features  
RF capable MOSFETs  
l
-55 ... +150  
°C  
l
l
l
l
Double metal process for low gate  
resistance  
UnclampedInductiveSwitching(UIS)  
rated  
TJM  
Tstg  
150  
-55 ... +150  
°C  
°C  
TL  
1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s  
300  
°C  
Md  
Mountingtorque  
TO-247  
1.13/10 Nm/lb.in.  
Low package inductance  
- easy to drive and to protect  
Fast intrinsic rectifier  
Weight  
TO-247  
TO-268  
6
4
g
g
Applications  
l
DC-DC converters  
l
Switched-mode and resonant-mode  
power supplies, >500kHz switching  
Symbol  
VDSS  
TestConditions  
Characteristic Values  
(T = 25°C, unless otherwise specified)  
J
l
DC choppers  
min. typ. max.  
l
13.5 MHz industrial applications  
VGS = 0 V, ID = 1mA  
VDS = VGS, ID = 4mA  
500  
2.0  
V
V
l
Pulse generation  
l
VGS(th)  
IGSS  
4.0  
Laser drivers  
l
RF amplifiers  
V
= ±20 V, V = 0  
±100 nA  
GS  
DS  
Advantages  
l
Space savings  
IDSS  
V
V
= V  
= 0 V  
50 µA  
1.5 mA  
DS  
DSS  
T
= 125°C  
l
GS  
J
High power density  
RDS(on)  
V
Note 1  
= 10 V, I = 0.5 I  
190 mΩ  
GS  
D
D25  
98883 (1/02)  
© 2002 IXYS All rights reserved  
12

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