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IXFT26N50QSN

更新时间： 2023-02-26 12:44:20

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	626K
描述
Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 500V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-268AA, PLASTIC, TO-268, 3/2 PIN

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IXFT26N50QSN 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.75
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (ID)：	26 A
最大漏源导通电阻：	0.2 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-268AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	104 A
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFT26N50QSN 数据手册

HiPerFET^TM

PowerMOSFETs

IXFH 26N50Q

IXFQ 26N50Q

IXFT 26N50Q

V_DSS

I_D25

R_DS(on)

t_rr

= 500 V

= 26 A

= 0.20 Ω

≤ 250 ns

Q-Class

N-ChannelEnhancementMode

AvalancheRated, LowQ_g,Highdv/dt

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247AD(IXFH)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

500

(TAB)

V_GS

Continuous

Transient

V_GSM

TO-3P(IXFQ)

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

104

E_AR

T_C= 25°C

1.5

E_AS

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

(TAB)

TO-268 (D3) (IXFT) Case Style

P_D

T_C= 25°C

300

T_J

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

T_JM

T_stg

(TAB)

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

Mountingtorque

300

°C

M_d

1.13/10

Nm/lb.in.

G = Gate,

D = Drain,

TAB = Drain

S = Source,

Weight

TO-247, TO-3P

TO-268

Features

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

^zIXYS advanced low Q_gprocess

^zInternationalstandardpackages

^zLow R_{DS (on)}

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min.

typ.

max.

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

500

^zUnclampedInductiveSwitching(UIS)

rated

V_GS(th)

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

2.5

4.5

^zFast switching

^zMolding epoxies meet UL 94 V-0

flammability classification

I_GSS

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

100

I_DSS

V_DS= V

T = 25°C

T_J^J= 125°C

µA

V_GS= 0^DV^SS

Advantages

R_DS(on)

= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

0.20

Ω

N^Go^Ste 2

Easy to mount

Space savings

High power density

DS99128(12/03)

12 3 4

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