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| 力特 - LITTELFUSE |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 5页 | 150K |  |
| 描述 | ||
| 功能与特色: 优点: 应用: | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.71 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1000 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 900 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 24 A | 最大漏极电流 (ID)： | 24 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.42 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-268AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 660 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 48 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFT26N100XHV | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFT26N50 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFT26N50 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFT26N50Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs |
|
| IXFT26N50QSN | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 500V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IXFT26N55Q | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
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| IXFT26N60 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFT26N60P | IXYS |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated |
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| IXFT26N60P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFT26N60Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFETTM Power MOSFETs Q-Class |
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