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IXTP42N25P

更新时间： 2024-11-18 12:27:43

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描述
PolarHTTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

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IXTP42N25P 数据手册

PolarHT^TM

Power MOSFET

IXTA 42N25P

IXTP 42N25P

IXTQ 42N25P

V_DSS= 250 V

I_D25= 42 A

R_DS(on)≤ 84 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263 (IXTA)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 150° C

T_J= 25° C to 150° C; R_GS= 1 MΩ

250

(TAB)

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

TO-220 (IXTP)

I_D25

I_DM

T_C=25° C

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

110

I_AR

T_C=25° C

(TAB)

E_AR

E_AS

T_C=25° C

1.0

TO-3P (IXTQ)

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤150° C, R_G= 10 Ω

V/ns

T_C=25° C

300

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

(TAB)

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

G = Gate

D = Drain

S = Source

TAB = Drain

M_d

Mounting torque

(TO-3P / TO-220)

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-3P

TO-220

TO-263

5.5

Features

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25° C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250µA

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

250

3.0

5.5

Advantages

100

Easy to mount

Space savings

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

250

µA

High power density

T_J= 125° C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

84 mΩ

Pulse test, t ≤300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99157E(12/05)

12 3 4 5

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IXTP42N25P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTQ42N25P	IXYS	功能相似	PolarHTTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTA42N25P	IXYS	功能相似	PolarHTTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

与IXTP42N25P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTP44N10T	IXYS	获取价格	TrenchMVâ¢ Power MOSFET
IXTP44N10T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTP44P15T	IXYS	获取价格	P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTP44P15T	LITTELFUSE	获取价格	Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱
IXTP450P2	IXYS	获取价格	Polar2TM Power MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTP450P2	LITTELFUSE	获取价格	Polar2?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计师提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTP460P2	IXYS	获取价格	PolarP2â¢ Power MOSFET
IXTP460P2	LITTELFUSE	获取价格	Polar2?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计师提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTP48N20T	IXYS	获取价格	TrenchHVTM Power MOSFET
IXTP48N20T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低

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