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IXTP44N10T

更新时间： 2023-12-06 20:13:12

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力特 - LITTELFUSE		栅
页数	文件大小	规格书
7页	306K
描述
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处

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IXTP44N10T 数据手册

Trench^TM

Power MOSFET

V_DSS= 100V

I_D25= 44A

R_DS(on) 30m

IXTY44N10T

IXTP44N10T

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-252

(IXTY)

D (Tab)

TO-220

(IXTP)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 175C

T_J= 25C to 175C, R_GS= 1M

100

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

D (Tab)

I_D25

I_LRMS

T_C= 25C

Lead Current Limit, (RMS) (TO-252)

I_DM

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

110

= Gate

= Source Tab

Drain

I_A

T_C= 25C

E_AS

250

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 175C

T_C= 25C

V/ns

Features

130

^International Standard Packages

^175°C Operating Temperature

^Avalanche Rated

Low R_DS(on)

^High Current Handling Capability

T_J

-55 ... +175

175



C

T_JM

T_stg

-55 ... +175



T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

M_d

Mounting Torque (TO-220)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Advantages

Weight

TO-252

TO-220

0.35

3.00



Easy to Mount

Space Savings

High Power Density



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Applications

(T_J= 25C Unless Otherwise Specified)

Min. Typ.

Max.



Automotive

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250A

V_DS= V_GS, I_D= 25A

V_GS=  20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

100

2.5

- Motor Drives

- 24 / 48V Power Bus

- ABS Systems

DC/DC Converters and Off-Line UPS

Primary- Side Switch

High Current Switching Applications

4.5



            100 nA

A



I_DSS



T_J= 150C

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Notes 1, 2

200  A

30 m

R_DS(on)

DS99646B(11/18)

12 3 4 5 6 7

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