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力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
6页 | 167K | |
描述 | ||
Polar2?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计师提供在性能和成本之间取得最佳平衡的器件解决方案。 这些器件包含了Polar技术平台,以实现低导通电阻(Rdson)。 Polar2标准MO |
生命周期: | Active | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.75 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTP460P2 | IXYS |
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PolarP2⢠Power MOSFET | |
IXTP460P2 | LITTELFUSE |
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Polar2?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计师提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTP48N20T | IXYS |
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TrenchHVTM Power MOSFET | |
IXTP48N20T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低 | |
IXTP48P05T | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTP48P05T | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 50V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta | |
IXTP4N100 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB | |
IXTP4N100A | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | |
IXTP4N100A | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | |
IXTP4N45 | IXYS |
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4 AMPS 450-500 V, 1.5-ohm / 2.0-ohm |