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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTP4N60A | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IXTP4N60P | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| IXTP4N65X2 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTP4N70X2 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTP4N70X2M | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTP4N70X2M | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTP4N80 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IXTP4N80A | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB |
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| IXTP4N80P | IXYS |
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PolarHV Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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| IXTP4N80P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
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