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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTP4N95A | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IXTP4P45 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220 |
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| IXTP4P50 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220 |
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| IXTP50N20P | IXYS |
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PolarHT Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
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| IXTP50N20P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
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| IXTP50N20PM | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 200V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IXTP50N20PM | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
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| IXTP50N25T | IXYS |
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Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
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| IXTP50N25T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
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| IXTP50N28T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低 |
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