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IXTP50N20PM

更新时间： 2024-11-19 14:56:51

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	206K
描述
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡的器件解决方案。这些器件包含了Polar技术平台，以实现低导通电阻（Rdson）。 Polar标准MOS

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IXTP50N20PM 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.7	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	20 A	最大漏极电流 (ID)：	20 A
最大漏源导通电阻：	0.06 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	90 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	120 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTP50N20PM 数据手册

Polar^TM

Power MOSFET

V_DSS= 200V

I_D25= 50A

R_DS(on) 60m

IXTP50N20PM

(Electrically Isolated Tab)

N-Channel Enhancement Mode

OVERMOLDED

TO-220

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 175C

200

Isolated Tab

D = Drain

V_DGR

T_J= 25C to 175C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

G = Gate

S = Source

I_D25

I_DM

T_C= 25C, Limited by T_JM

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

120

I_A

T_C= 25C

E_AS

Features

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns

^Plastic Overmolded Tab for Electrical

Isolation

T_J

-55 ... +175

175

C

^International Standard Package

^Avalanche Rated

T_JM

T_stg

^Fast Intrinsic Diode

-55 ... +175

^Low Package Inductance

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

M_d

Mounting Torque

1.13 / 10

Nm/lb.in

Advantages

Weight

^High Power Density

^Easy to Mount

^Space Savings

Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

^Switched-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

200

^DC-DC Converters

^AC and DC Motor Drives

^Robotics and Servo Controls

^Battery Chargers

^Uninterrupted Power Supplies

^High Speed Power Swicthing

Applications

2.5

5.0

100 nA

I_DSS

25 A

250 A

T_J= 150C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 25A, Note 1

60 m

DS99564H(5/18)

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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