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| 力特 - LITTELFUSE |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 12页 | 1058K |  |
| 描述 | ||
| Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | ||
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.8 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTP4N95 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB |
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| IXTP4N95A | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IXTP4P45 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220 |
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| IXTP4P50 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220 |
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| IXTP50N20P | IXYS |
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PolarHT Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
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| IXTP50N20P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
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| IXTP50N20PM | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 200V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IXTP50N20PM | LITTELFUSE |
获取价格 |
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
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| IXTP50N25T | IXYS |
获取价格 |
Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
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| IXTP50N25T | LITTELFUSE |
获取价格 |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
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