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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.69 |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e0 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTP4P50 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220 |
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| IXTP50N20P | IXYS |
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PolarHT Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
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| IXTP50N20P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
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| IXTP50N20PM | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 200V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IXTP50N20PM | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
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| IXTP50N25T | IXYS |
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Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
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| IXTP50N25T | LITTELFUSE |
获取价格 |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
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| IXTP50N28T | LITTELFUSE |
获取价格 |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低 |
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| IXTP52P10P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTP52P10P | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 100V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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