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IXTP50N25T

更新时间： 2024-01-16 19:49:36

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力特 - LITTELFUSE		栅
页数	文件大小	规格书
7页	295K
描述
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处

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IXTP50N25T 数据手册

IXTA50N25T IXTQ50N25T

IXTP50N25T IXTH50N25T

Trench Gate

Power MOSFET

V_DSS= 250V

I_D25= 50A

R_DS(on)≤ 60mΩ

N-Channel Enhancement Mode

TO-263 AA (IXTA)

TO-220AB (IXTP)

TO-3P (IXTQ)

D (Tab)

TO-247 (IXTH)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

250

V_GSM

Transient

± 30

D (Tab)

= Drain

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

130

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

G = Gate

I_A

E_AS

T_C= 25°C

S = Source

Tab = Drain

1.5

P_D

T_C= 25°C

400

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Features

^zAvalanche Rated

^zHigh Current Handling Capability

^zFast Intrinsic Rectifier

Low R_DS(on)

T_L

1.6mm (0.062in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 s

300

260

°C

M_d

F_C

Mounting Torque (TO-220, TO-3P &TO-247)

Mounting Force (TO-263)

1.13 / 10

10..65 / 2.2..14.6

Nmlb.in.

N/lb.

Weight

TO-263

TO-220

TO-3P

2.5

3.0

5.5

6.0

Advantages

^zHigh Power Density

^zEasy to Mount

^zSpace Savings

TO-247

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Min. Typ . Max.

Applications

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

^zDC-DC Coverters

^zBattery Chargers

BV_DSS

V_GS(th)

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

250

3.0

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

5.0

I_GSS

I_DSS

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

± 100 nA

μA

^zDC Choppers

^zAC and DC Motor Drives

^zUninterrupted Power Supplies

^zHigh Speed Power Switching

Applications

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

T_J= 125°C

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

150 μA

60 mΩ

R_DS(on)

DS99346B(01/10)

12 3 4 5 6 7

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