IXTP56N15T

更新时间： 2024-11-18 12:26:35

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
5页	140K
描述
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

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IXTP56N15T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	150 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	56 A
最大漏极电流 (ID)：	56 A	最大漏源导通电阻：	0.036 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	140 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTP56N15T 数据手册

Preliminary Technical Information

TrenchHV^TM

Power MOSFET

IXTA56N15T

IXTP56N15T

V_DSS= 150

I_D25= 56

R_DS(on)≤ 36 mΩ

N-ChannelEnhancementMode

AvalancheRated

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-263 (IXTA)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 175°C

150

T_J= 25°C to 175°C; R_GS= 1 MΩ

V_GSM

Transient

(TAB)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

140

TO-220 (IXTP)

I_AR

E_AS

T_C= 25°C

500

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/μs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 175°C, R_G= 5 Ω

V/ns

(TAB)

T_C= 25°C

300

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +175

°C

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 seconds

300

260

°C

M_d

Mounting torque (TO-220)

1.13 / 10 Nm/lb.in.

Features

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Weight

TO-220

TO-263

2.5

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

^z175 °C Operating Temperature

Advantages

Easy to mount

Space savings

High power density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 μA

V_DS= V_GS, I_D= 250 μA

150

2.5

4.5

V_GS

20 V, V_DS= 0 V

100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

200

μA

T_J= 150°C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 28 A, Notes 1, 2

36 mΩ

DS99800 (03/07)

12 3 4 5

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