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IXTP5N50P

更新时间： 2024-11-22 14:56:55

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力特 - LITTELFUSE		/
页数	文件大小	规格书
7页	396K
描述
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡的器件解决方案。这些器件纳入了Polar技术平台，以实现低导通电阻（RDS(ON)）。 Polar标准M

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Polar^TM

Power MOSFET

IXTU5N50P

IXTY5N50P

IXTA5N50P

IXTP5N50P

V_DSS= 500V

I_D25= 5A

R_DS(on) 1.4

TO-251 (IXTU)

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

D (Tab)

TO-252 (IXTY)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

500

D (Tab)

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

TO-263 (IXTA)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

I_D25

I_DM

T_C= 25C

D (Tab)

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

TO-220 (IXTP)

I_A

T_C= 25C

E_AS

250

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns

D (Tab)

T_J

-55 ... +150

150

C

G = Gate

S = Source

= Drain

T_JM

T_stg

Tab = Drain

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Features



International Standard Packages

Low Q_G

Avalanche Rated

Low Package Inductance

Fast Intrinsic Rectifier

F_C

M_d

Mounting Force (TO-263 & TO-251)

Mounting Torque (TO-220)

10..65 / 2.2..14.6

N/lb

Nm/lb.in



1.13 / 10

Weight

TO-251

TO-252

TO-263

TO-220

0.40

0.35

2.50

3.00

Advantages



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 50μA

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

500

Applications

3.0

5.5



DC-DC Converters

Switch-Mode and Resonant-Mode



100 nA

A

Power Supplies

AC and DC Motor Drives

I_DSS



T_J= 125C

25 A



Discharge Circiuts in Lasers, Spark

Igniters, RF Generators

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

1.4







High Voltage Pulse Power

Applications

DS99446G(6/17)

12 3 4 5 6 7

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与IXTP5N50P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTP5N60P	IXYS	获取价格	PolarHVTM Power MOSFET
IXTP5P15	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| TO-220
IXTP5P20	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| TO-220
IXTP5P25	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 250V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| TO-220
IXTP5P45	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| TO-220
IXTP5P50	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| TO-220
IXTP60N10T	THINKISEMI	获取价格	60A,100V Heatsink Trench N-Channel Power MOSFET
IXTP60N10T	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTP60N10T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTP60N10TM	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 100V, 0.019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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