5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.68 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 250 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 800 V | 最大漏极电流 (ID)： | 3.6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 3.4 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 8 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IXTP4N80P | IXYS | PolarHV Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
获取价格 |
|
| IXTP4N80P | LITTELFUSE | Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
获取价格 |
|
| IXTP4N90 | IXYS | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
获取价格 |
|
| IXTP4N90A | LITTELFUSE | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
获取价格 |
|
| IXTP4N95 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB |
获取价格 |
|
| IXTP4N95A | LITTELFUSE | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
获取价格 |
|
STM32H743技术深度剖析与应用案例探索
LM321中文资料解析：引脚功能介绍、技术特点、技术特性分析
74HC14芯片资料介绍：性能特性分析、引脚介绍
LM1875芯片手册：功放参数分析、引脚说明、电路设计要点
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
