IXTP4N80P

更新时间： 2024-11-18 12:31:23

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IXYS		晶体晶体管开关脉冲局域网
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描述
PolarHV Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

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IXTP4N80P 数据手册

Advance Technical Information

PolarHV^TM

Power MOSFET

V_DSS= 800

I_D25= 3.6

R_DS(on)≤ 3.4

IXTA4N80P

IXTP4N80P

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Symbol

V_DSS

V_DGR

Test Conditions

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

Maximum Ratings

TO-263 (IXTA)

800

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 30

± 40

(TAB)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

3.6

TO-220 (IXTP)

I_AR

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

250

(TAB)

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/μs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 18 Ω

V/ns

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

T_C= 25°C

100

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

M_d

Mounting torque

(TO-220)

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-220

TO-263

Features

^zInternational standard packages

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 μA

V_DS= V_GS, I_D= 100μA

V_GS= ±30 V, V_DS= 0 V

800

Advantages

3.0

5.5

Easy to mount

±100

Space savings

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

μA

High power density

T_J= 125°C

150

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

3.4

Pulse test, t ≤ 300 μs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99596E(08/06)

12 3 4

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IXTP4N80P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTA4N80P	IXYS	功能相似	PolarHV Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXFA3N80	IXYS	功能相似	HiPerFET Power MOSFETs

与IXTP4N80P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTP4N90	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTP4N90A	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTP4N95	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 950V V(BR)DSS \| 4A I(D) \| TO-220AB
IXTP4N95A	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTP4P45	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 4A I(D) \| TO-220
IXTP4P50	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 4A I(D) \| TO-220
IXTP50N20P	IXYS	获取价格	PolarHT Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTP50N20P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTP50N20PM	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 200V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTP50N20PM	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡

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