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IXTA4N80P

更新时间： 2024-11-05 12:31:23

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4页	178K
描述
PolarHV Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

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IXTA4N80P 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.71	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	250 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	800 V
最大漏极电流 (ID)：	3.6 A	最大漏源导通电阻：	3.4 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	8 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTA4N80P 数据手册

Advance Technical Information

PolarHV^TM

Power MOSFET

V_DSS= 800

I_D25= 3.6

R_DS(on)≤ 3.4

IXTA4N80P

IXTP4N80P

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Symbol

V_DSS

V_DGR

Test Conditions

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

Maximum Ratings

TO-263 (IXTA)

800

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 30

± 40

(TAB)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

3.6

TO-220 (IXTP)

I_AR

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

250

(TAB)

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/μs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 18 Ω

V/ns

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

T_C= 25°C

100

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

M_d

Mounting torque

(TO-220)

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-220

TO-263

Features

^zInternational standard packages

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 μA

V_DS= V_GS, I_D= 100μA

V_GS= ±30 V, V_DS= 0 V

800

Advantages

3.0

5.5

Easy to mount

±100

Space savings

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

μA

High power density

T_J= 125°C

150

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

3.4

Pulse test, t ≤ 300 μs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99596E(08/06)

12 3 4

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IXTA4N80P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTP4N80P	IXYS	功能相似	PolarHV Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXFA3N80	IXYS	功能相似	HiPerFET Power MOSFETs

与IXTA4N80P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTA50N20P	IXYS	获取价格	PolarHT Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTA50N25T	IXYS	获取价格	Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTA50N25T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTA52P10P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA52P10P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 100V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IXTA56N15T	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTA56N15T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTA5N50P	IXYS	获取价格	PolarHV Power MOSFET - N-Channel Enhancement Mode
IXTA5N50P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTA5N60P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 1.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal

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